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DALIENTO, SANTOLO

DALIENTO, SANTOLO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Experimental measurements of recombination lifetime in proton irradiated power devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo; G., Busatto; J., Wyss
Helium implantation in silicon: detailed experimental analysis of resistivity and lifetime profiles as a function of the implantation dose and energy 4.1 Articoli in Atti di convegno 2006 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
An experimental analysis of localized lifetime and resistivity control by helium implant in Si 4.1 Articoli in Atti di convegno 2005 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; B. N., Limata; R., Carta; L., Bellemo
An Optical Technique to Measure the Bulk Lifetime and the Surface Recombination Velocity in Silicon Samples Based on a Laser Diode Probe System 1.1 Articolo in rivista 1998 A., Cutolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; G. F., Vitale; L., Zeni
Recombination Centers Identification in Very Thin Silicon Epitaxial Layers via Lifetime Measurements 1.1 Articolo in rivista 1996 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P. M., Sarro; P., Spirito; L., Zeni
Experimental study on power consumption in lifetime engineered power diodes 1.1 Articolo in rivista 2009 Daliento, Santolo; L., Mele; Spirito, Paolo; R., Carta; L., Merlin
Experimental Measurements of Majority and Minority Carrier Lifetime Profile in SI Epilayers by the Use of an Improved OCVD Method 1.1 Articolo in rivista 2005 S., Bellone; G. D., Licciardo; Daliento, Santolo; L., Mele
Approximate closed form analytical solution for minority carrier transport in opaque heavily doped regions under illuminated conditions 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; L., Mele
Characterization of recombination centers in Si epilayers after He implantation by direct measurement of local lifetime distribution with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2004 Spirito, Paolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE-TERMINAL TEST STRUCTURE 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers 1.1 Articolo in rivista 1999 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; P., Spirito
Modelling of the input I-V curves of bipolar JFET structures showing a negative resistance behaviour 1.1 Articolo in rivista 2001 S., Bellone; Daliento, Santolo; A., Sanseverino
A novel test structure for the measurement of the multiplication coefficient in silicon 4.1 Articoli in Atti di convegno 1998 Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Spirito, Paolo
A METHOD FOR IN-SITU CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR INTERFACE DURING A-SI SOLAR CELL FABRICATION 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; N., Martucciello; F., Roca
Lifetime and resistivity modifications induced by helium implantation in silicon: experimental analysis with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2008 Daliento, Santolo; Mele, L; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA
Silicon Solar Cells Process Characterisation by Means of Lifetime Measurements with the Transverse Probe Optical Technique 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Daliento, Santolo; Irace, Andrea; Sanseverino, A.; Sirleto, L.; Vitale, G. F.
QUASI STEADY-STATE AND TRANSIENT PCD LIFETIME MEASUREMENTS IN SILICON MATERIALS FOR PHOTOVOLTAIC CONCENTRATION DEVICES, A COMPARISON WITH THE TRANSVERSE PROBETECHNIQUE 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 Daliento, Santolo; Irace, Andrea; L., Mele; Sanseverino, Annunziata; L., Pirozzi; M., Izzi; U., Besi; G., Arabito
Morphological, Optical and Electrical properties of ZnO Sol-Gel Transparent and Conductive films 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Fanelli, Esther; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale; Aronne, Antonio
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; G., Contento; N., Martucciello; I., Nasti; F., Roca
Lifetime profile reconstruction in helium implanted silicon for planar IGBTs 4.1 Articoli in Atti di convegno 2014 Guerriero, Pierluigi; A., Sanseverino; Daliento, Santolo