DALIENTO, SANTOLO

DALIENTO, SANTOLO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE-TERMINAL TEST STRUCTURE 1.1 Articolo in rivista 2003 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
Sol-Gel Preparation of Nanostructured Aluminum doped ZnO (AZO) Thin Films for Photovoltaic Applications 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; Fanelli, Esther; M. L., Addonizio; Aronne, Antonio; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale
An Analysis On The Recombination Mechanisms In The Intrinsic Layer Of P-i-N a-Si:H Solar Cell 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; Daliento, Santolo; Fanelli, Esther; Aronne, Antonio; Pernice, Pasquale; L., Lancellotti; P., Delli Veneri; L. V., Mercaldo; I., Usatii
Preparation and Characterization of ZnO Sol-Gel Thin Films Deposited on Glass Substrates 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Fanelli, Esther; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale; Aronne, Antonio
Lifetime and resistivity modifications induced by helium implantation in silicon: experimental analysis with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2008 Daliento, Santolo; Mele, L; Spirito, Paolo; Gialanella, Lucio; Limata, BENEDICTA NORMANNA
QUASI STEADY-STATE AND TRANSIENT PCD LIFETIME MEASUREMENTS IN SILICON MATERIALS FOR PHOTOVOLTAIC CONCENTRATION DEVICES, A COMPARISON WITH THE TRANSVERSE PROBETECHNIQUE 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 Daliento, Santolo; Irace, Andrea; L., Mele; Sanseverino, Annunziata; L., Pirozzi; M., Izzi; U., Besi; G., Arabito
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE SURFACE RECOMBINATION VELOCITY 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; G., Contento; N., Martucciello; I., Nasti; F., Roca
COMPLETE 2D SIMULATION PROCEDURE FOR AN IMMEDIATE FEEDBACK BETWEEN TECHNOLOGICAL PROCESSES AND SOLAR CELL EFFICIENCY 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Sanseverino, Annunziata; M., Izzi; L., Pirozzi
Morphological, Optical and Electrical properties of ZnO Sol-Gel Transparent and Conductive films 4.1 Articoli in Atti di convegno 2011 Tari, Orlando; M. L., Addonizio; Fanelli, Esther; Daliento, Santolo; Pernice, Pasquale; Aronne, Antonio
EMITTER PASSIVATION MONITORING BY MEANS OF THE COMBINATE USE OF QSSPC MEASUREMENTS AND ANALYTICAL MODELLING OF THE EMITTER REGION 4.1 Articoli in Atti di convegno 2005 Daliento, Santolo; L., Mele; L., Lancellotti; P., Morvillo; C., Vernetti
A METHOD FOR IN-SITU CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR INTERFACE DURING A-SI SOLAR CELL FABRICATION 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; N., Martucciello; F., Roca
AN ELECTRICAL TECHNIQUE FOR THE MEASUREMENT OF THE INTERFACE RECOMBINATION VELOCITY BASED ON A THREE TERMINAL TEST STRUCTURE 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Spirito, Paolo; Sanseverino, Annunziata; F., Roca
WEAR MEASUREMENTS BY MEANS OF RADIOACTIVE ION IMPLANTATION 2.1 Contributo in volume (Capitolo o Saggio) 2002 Daliento, Santolo; Sanseverino, Annunziata; L., Gialanella; Imbriani, Gianluca; Roca, Vincenzo; M., Romano; N., Decesare; A. D., Onofrio; F., Terrasi; H. W., Becker; D., Rogalla; A., Stephan; F., Strieder; Z., Fulop; G., Gyurky; E., Somorjai; Russo, Michele
Analytical modelling and minority current measurements for the determination of the emitter surface recombination velocity in silicon solar cells 1.1 Articolo in rivista 2007 Daliento, Santolo; Mele, L; Bobeico, E; Lancellotti, L; Morvillo, P.
Experimental Measurements of Majority and Minority Carrier Lifetime Profile in SI Epilayers by the Use of an Improved OCVD Method 1.1 Articolo in rivista 2005 S., Bellone; G. D., Licciardo; Daliento, Santolo; L., Mele
Approximate closed form analytical solution for minority carrier transport in opaque heavily doped regions under illuminated conditions 1.1 Articolo in rivista 2006 Daliento, Santolo; L., Mele
Characterization of recombination centers in Si epilayers after He implantation by direct measurement of local lifetime distribution with the ac profiling technique 1.1 Articolo in rivista 2004 Spirito, Paolo; Daliento, Santolo; A., Sanseverino; Gialanella, Lucio; Romano, Mario; Limata, BENEDICTA NORMANNA; R., Carta; L., Bellemo
Raoid-thermal-annealing in forming gas ambient for high efficiency C-Si solar cells passivation oxides 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 Daliento, Santolo; L., Lancellotti; S., Gnanapragasam; G., Giudicianni; F., Formisano; Guerriero, Pierluigi; E., Bobeico; P., Morvillo; R., Fucci; F., Roca
Elettronica Generale 3.1 Monografia o trattato scientifico 2011 Daliento, Santolo; Irace, Andrea
Modelling and characterization of passivating layers for c-si concentrator cells 4.1 Articoli in Atti di convegno 2010 Daliento, Santolo; Tari, Orlando; L., Lancellotti; S., Gnanapragasam; E., Bobeico