BOCCAROSSA, MARCO

BOCCAROSSA, MARCO  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
TCAD Analysis of the Impact of the Metal-Semiconductor Junction Properties on the Forward Characteristics of MPS/JBS SiC Diodes 4.1 Articoli in Atti di convegno 2022 Boccarossa, M.; Borghese, A.; Maresca, L.; Riccio, M.; Breglio, G.; Irace, A.
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism 4.1 Articoli in Atti di convegno 2023 D’Alessandro, Vincenzo; Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; Irace, Andrea
Analysis of Electrothermal Imbalance of Hard-Switched Parallel SiC MOSFETs through Infrared Thermography 4.1 Articoli in Atti di convegno 2024 Borghese, Alessandro; Angora, Stefano; Boccarossa, Marco; Riccio, Michele; Maresca, Luca; Marrazzo, Vincenzo Romano; Breglio, Giovanni; Irace, Andrea
A geometry-scalable physically-based SPICE compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism 1.1 Articolo in rivista 2024 Terracciano, Vincenzo; Borghese, Alessandro; Boccarossa, Marco; D’Alessandro, Vincenzo; Irace, Andrea