RINALDI, NICCOLO'

RINALDI, NICCOLO'  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Accurate Mobility and Energy Relaxation Time Models for SiGe HBTs Numerical Simulation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'
Theoretical analysis and modeling of bipolar transistor operation under reversal base current conditions 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 M., Costagliola; Rinaldi, Niccolo'
Avalanche multiplication and pinch-in models for simulating electrical instability effects in SiGe HBTs 1.1 Articolo in rivista 2010 Sasso, Grazia; Costagliola, Maurizio; Rinaldi, Niccolo'
Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors 8.10 Tesi di Dottorato 2009 Rinaldi, Niccolo'
Development of a new electro-thermal simulation tool for RF circuits 8.10 Tesi di Dottorato 2009 Rinaldi, Niccolo'
SILICON AS SMART PACKAGE FOR PHOTONIC ICS 8.10 Tesi di Dottorato 2005 Rinaldi, Niccolo'
Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2010 Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'
Modeling of high-injection effects in bipolar devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 1995 Rinaldi, Niccolo'
Composition grading for base transit time minimization in HBTs: an analytical approach 1.1 Articolo in rivista 1997 P., Rinaldi; Rinaldi, Niccolo'
Validity range estimate of the asymptotic expansion approach for the modeling of minority-carrier injection into heavily doped emitters 1.1 Articolo in rivista 1995 Rinaldi, Niccolo'
All-injection modeling of collector current and transit time in SiGe bipolar transistors 4.1 Articoli in Atti di convegno 1995 Rinaldi, Niccolo'
Modelling of collector signal delay effects in bipolar transistors 1.1 Articolo in rivista 1999 Rinaldi, Niccolo'
Thermal mapping of new cellular power MOS affected by electro-thermal instability 4.1 Articoli in Atti di convegno 1999 Breglio, Giovanni; F., Frisina; A., Magrì; Rinaldi, Niccolo'; P., Spirito
Non-quasi static modeling of bipolar transistors for CAD applications 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 Rinaldi, Niccolo'
Optimization of base doping profile for minimum transit time in bipolar transistors 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 P., Rinaldi; Rinaldi, Niccolo'
Analysis and modeling of small-signal bipolar transistor operation at arbitrary injection levels 1.1 Articolo in rivista 1998 Rinaldi, Niccolo'; H. C., Degraaff; J. L., Tauritz
Optimizing the Numerical Procedure of Temperature Evaluating from the Heat Diffusion Equation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 J., Woźny; Rinaldi, Niccolo'; M., Owczarek; J., Nowak
Analytical relations for the base transit time and collector current in BJTs and HBTs 1.1 Articolo in rivista 1997 Rinaldi, Niccolo'
On the modeling of polysilicon emitter bipolar transistors 1.1 Articolo in rivista 1997 Rinaldi, Niccolo'
Fast and simple method for calculating the minority-carrier current in arbitrarily doped semiconductors 1.1 Articolo in rivista 1996 Rinaldi, Niccolo'