RINALDI, NICCOLO'

RINALDI, NICCOLO'  

Dipartimento di Ingegneria elettrica e delle Tecnologie dell'Informazione  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
Analytical Models of Effective Dos, Saturation Velocity and High-Field Mobility for SiGe HBTs Numerical Simulation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2010 Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'
Analisi degli effetti di auto-riscaldamento in transistori bipolari SOA 8.02 Comunicazioni a Convegni o Seminari 2003 D'Alessandro, Vincenzo; Nebojsa, Nenadovic; Rinaldi, Niccolo'; Lis K., Nanver; Fabrizio, Tamigi; Jan W., Slotboom
Modellistica analitica e analisi numerica del comportamento termico di transistori bipolari con isolamento a trincea 8.02 Comunicazioni a Convegni o Seminari 2008 Ilaria, Marano; D'Alessandro, Vincenzo; Rinaldi, Niccolo'
Modellistica analitica e analisi numerica del comportamento termico di dispositivi trench SOI 8.02 Comunicazioni a Convegni o Seminari 2007 Ilaria, Marano; D'Alessandro, Vincenzo; Rinaldi, Niccolo'
Analysis of electro-thermal effects in semiconductor devices 8.10 Tesi di Dottorato 2003 Rinaldi, Niccolo'
Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors 8.10 Tesi di Dottorato 2009 Rinaldi, Niccolo'
Development of a new electro-thermal simulation tool for RF circuits 8.10 Tesi di Dottorato 2009 Rinaldi, Niccolo'
Theoretical analysis and modeling of bipolar transistor operation under reversal base current conditions 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 M., Costagliola; Rinaldi, Niccolo'
Accurate Mobility and Energy Relaxation Time Models for SiGe HBTs Numerical Simulation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2009 Sasso, Grazia; G., Matz; C., Jungemann; Rinaldi, Niccolo'
Optimizing the Numerical Procedure of Temperature Evaluating from the Heat Diffusion Equation 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 J., Woźny; Rinaldi, Niccolo'; M., Owczarek; J., Nowak
Modeling two-dimensional effects on base and collector currents in narrow-emitter self-aligned bipolar transistors 1.1 Articolo in rivista 1993 Rinaldi, Niccolo'
Modeling of high-injection effects in bipolar devices 1.1 Articolo in rivista 1997 Rinaldi, Niccolo'
Analysis and modeling of small-geometry effects on maximum cutoff frequency fT and forward transit time in downscaled bipolar transistors 4.1 Articoli in Atti di convegno 1993 Rinaldi, Niccolo'; P., Spirito
SILICON AS SMART PACKAGE FOR PHOTONIC ICS 8.10 Tesi di Dottorato 2005 Rinaldi, Niccolo'
Optimization of base doping profile for minimum transit time in bipolar transistors 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 P., Rinaldi; Rinaldi, Niccolo'
Direct MEXTRAM parameter computation based on transistor layout and doping profile 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 D., Di Crescenzo; Rinaldi, Niccolo'; H., Degraaff; L., de Vreede
3D dynamic electro-thermal simulator applied to a new cellular power MOS affected by electro-thermal instability 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 Breglio, Giovanni; Rinaldi, Niccolo'; P., Spirito
Thermal mapping of new cellular power MOS affected by electro-thermal instability 4.1 Articoli in Atti di convegno 1999 Breglio, Giovanni; F., Frisina; A., Magrì; Rinaldi, Niccolo'; P., Spirito
Optimization of Microstrip Transmission Lines on Silicon, Semiconductor advances for future electronics 4.1 Articoli in Atti di convegno 2001 S., Colpo; B., Rejaei; Rinaldi, Niccolo'; J. N., Burghartz
Analytical model of GaAs BMFET structures 4.1 Articoli in Atti di convegno 1994 Bellone, Salvatore; Rinaldi, Niccolo'; G., Vitale; G., Cocorullo