RINALDI, NICCOLO'

RINALDI, NICCOLO'  

DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA ELETTRICA E TECNOLOGIE DELL'INFORMAZIONE  

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Titolo Tipologia Data di pubblicazione Autore(i) File
SILICON AS SMART PACKAGE FOR PHOTONIC ICS 8.10 Tesi di Dottorato 2005 Rinaldi, Niccolo'
DESIGN AND CHARACTERIZATION OF A HIGH-RESISTIVITY SILICON TRAVELING WAVE AMPLIFIER FOR 10 GB/S OPTICAL COMMUNICATION SYSTEMS 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 DE PAOLA, Francesco; Rinaldi, Niccolo'; L. C. N., DE VREEDE; L. K., Nanver
A SCALABLE PHYSICAL MODEL FOR COPLANAR WAVEGUIDE TRANSITION IN FLIP-CHIP APPLICATIONS 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 DE PAOLA, Francesco; Rinaldi, Niccolo'; V., Aliberti; B., Rajaei; N., Rinaldi; J. N., Burghartz
ANALYTICAL SOLUTIONS OF THE DIFFUSIVE HEAT EQUATION AS THE APPLICATION FOR MULTI-CELLULAR DEVICE MODELING - A NUMERICAL ASPECT 4.1 Articoli in Atti di convegno 2004 Rinaldi, Niccolo'; Z., Lisik; J., Wozny; M., Langer
Direct MEXTRAM parameter computation based on transistor layout and doping profile 4.1 Articoli in Atti di convegno 2000 D., Di Crescenzo; Rinaldi, Niccolo'; H., Degraaff; L., de Vreede
A single chip 1.8 GHz LNA and power amplifier with improved isolation using micromachining 4.1 Articoli in Atti di convegno 2001 F. M., De Paola; L. N. C., de Vreede; L., Nanver; B., Rejaei; Rinaldi, Niccolo'; J. N., Burghartz
Analytical model of GaAs BMFET structures 4.1 Articoli in Atti di convegno 1994 Bellone, Salvatore; Rinaldi, Niccolo'; G., Vitale; G., Cocorullo
Optimization of Microstrip Transmission Lines on Silicon, Semiconductor advances for future electronics 4.1 Articoli in Atti di convegno 2001 S., Colpo; B., Rejaei; Rinaldi, Niccolo'; J. N., Burghartz
Analytical modeling and numerical simulations of the thermal behavior of bipolar transistors 8.10 Tesi di Dottorato 2009 Rinaldi, Niccolo'
Reply to "Comment on Modeling of minority-carrier transport in nonuniformly doped silicon regions with asymptotic expansions" 1.7 Commento, erratum, replica e simili 1995 Rinaldi, Niccolo'
Modelling of collector signal delay effects in bipolar transistors 1.1 Articolo in rivista 1999 Rinaldi, Niccolo'
Optimization of base doping profile for minimum transit time in bipolar transistors 4.1 Articoli in Atti di convegno 1997 P., Rinaldi; Rinaldi, Niccolo'
A 1.8 GHz Integrated LNA using a Novel RF Si Technology 4.1 Articoli in Atti di convegno 2002 De, Paola; L. C. N., de Vreede; L. K., Nanver; B., Rejaei; Rinaldi, Niccolo'; J. N., Burghartz
A simple analytical model of oxidation of silicon 1.1 Articolo in rivista 1999 Rinaldi, Niccolo'
Modeling of high-injection effects in bipolar devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 1995 Rinaldi, Niccolo'
A simple analytical approach for the thermal modeling of power devices 4.1 Articoli in Atti di convegno 2001 Rinaldi, Niccolo'
Validity range estimate of the asymptotic expansion approach for the modeling of minority-carrier injection into heavily doped emitters 1.1 Articolo in rivista 1995 Rinaldi, Niccolo'
Modeling and optimization of shallow and opaque heavily doped emitters for bipolar devices" 1.1 Articolo in rivista 1995 Rinaldi, Niccolo'
An experimental power-lines model for digital ASICs based on transmission-lines 1.1 Articolo in rivista 2012 Costagliola, Maurizio; DE CARO, Davide; A., Girardi; R., Izzi; Rinaldi, Niccolo'; M., Spirito; Spirito, Paolo
Modeling two-dimensional effects on base and collector currents in narrow-emitter self-aligned bipolar transistors 1.1 Articolo in rivista 1993 Rinaldi, Niccolo'