TERRACCIANO, VINCENZO
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 199
EU - Europa 122
NA - Nord America 61
SA - Sud America 18
AF - Africa 6
OC - Oceania 1
Totale 407
Nazione #
SG - Singapore 89
IT - Italia 75
CN - Cina 72
US - Stati Uniti d'America 57
RU - Federazione Russa 35
BR - Brasile 15
VN - Vietnam 11
KR - Corea 10
HK - Hong Kong 5
GB - Regno Unito 3
JP - Giappone 3
AT - Austria 2
EC - Ecuador 2
IN - India 2
MX - Messico 2
NL - Olanda 2
PL - Polonia 2
ZA - Sudafrica 2
AE - Emirati Arabi Uniti 1
AR - Argentina 1
BD - Bangladesh 1
CA - Canada 1
DZ - Algeria 1
HN - Honduras 1
IE - Irlanda 1
IQ - Iraq 1
IR - Iran 1
KE - Kenya 1
LT - Lituania 1
MA - Marocco 1
MY - Malesia 1
PG - Papua Nuova Guinea 1
SE - Svezia 1
TH - Thailandia 1
TN - Tunisia 1
TR - Turchia 1
Totale 407
Città #
Hefei 42
Singapore 41
Naples 28
Beijing 14
Ashburn 9
Moscow 9
Dallas 8
Seoul 8
Los Angeles 7
Ho Chi Minh City 5
Hong Kong 5
New York 5
Pagani 4
Turin 4
Atlanta 3
Buffalo 3
Cambridge 3
Haiphong 3
Milan 3
Haeundae-gu 2
Johannesburg 2
Phoenix 2
Santa Clara 2
São Paulo 2
The Dalles 2
Verona 2
Amstelveen 1
Andover 1
Ankara 1
Aracaju 1
Araçatuba 1
Brooklyn 1
Cambará 1
Casablanca 1
Castelfranco di Sotto 1
Chennai 1
Curitiba 1
DeSoto 1
Dongguan 1
Dublin 1
Guayaquil 1
Hanoi 1
Houston 1
Jacareí 1
Kuala Lumpur 1
Magé 1
Mendoza 1
Messaad 1
Mexico City 1
Montes Claros 1
Montreal 1
Morelia 1
Mosul 1
Nairobi 1
Norfolk 1
Orleans 1
Osasco 1
Palestrina 1
Pitanga 1
Pomigliano d'Arco 1
Pontedera 1
Port Moresby 1
Porto Seguro 1
Pouso Alegre 1
Quito 1
Redondo Beach 1
Rome 1
San Pedro Sula 1
Seattle 1
Shanghai 1
Sombrio 1
Stockholm 1
Tehran 1
Tunis 1
Tây Ninh 1
Warsaw 1
Totale 268
Nome #
A simple electrothermal compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism 163
A geometry-scalable physically-based SPICE compact model for SiC MPS diodes including the snapback mechanism 78
Out-of-SOA performance in 3.3 kV SiC MOSFETs: Comparison between planar and quasi-planar trench 67
A geometry-scalable electrothermal compact circuit model of SiC Merged-PiN-Schottky diodes accounting for the snapback mechanism: Application to current surge events 55
SiC GAA MOSFET Concept for High Power Electronics Performance Evaluation Through Advanced TCAD Simulations 54
Totale 417
Categoria #
all - tutte 886
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book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 886


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2023/202457 0 0 0 0 30 9 9 0 1 0 5 3
2024/2025110 2 3 2 4 3 10 9 6 3 3 33 32
2025/2026250 43 54 45 42 54 12 0 0 0 0 0 0
Totale 417