Influence of the SiC/SiO2 SiC MOSFET interface traps distribution on C-V measurements evaluated by TCAD simulations / Maresca, Luca; Matacena, Ilaria; Riccio, Michele; Irace, Andrea; Breglio, Giovanni; Daliento, Santolo. - In: IEEE JOURNAL OF EMERGING AND SELECTED TOPICS IN POWER ELECTRONICS. - ISSN 2168-6777. - 9:2(2021), pp. 2171-2179. [10.1109/JESTPE.2019.2940143]
Influence of the SiC/SiO2 SiC MOSFET interface traps distribution on C-V measurements evaluated by TCAD simulations
Maresca, Luca;Matacena, Ilaria;Riccio, Michele;Irace, Andrea;Breglio, Giovanni;Daliento, Santolo
2021
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