Influence of vertical scaling and temperature on impact-ionization effects in SiGe HBTs / Sasso, G., D'Alessandro, V., Maurizio, C., Rinaldi, N.. - (2012). (IEEE 24th International Conference on Microelectronics (ICM) Algiers, Algeria Dec. 2012) [10.1109/ICM.2012.6471370].
Influence of vertical scaling and temperature on impact-ionization effects in SiGe HBTs
SASSO, GRAZIA;d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO'
2012
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