Valutazione della Rth per BJT in silicio e overview della letteratura precedente.
Valutazione della resistenza termica di transistori bipolari attraverso misure DC: revisione critica e nuovo approccio per BJT in silicio / Russo, Salvatore; D'Alessandro, Vincenzo; Rinaldi, Niccolo'. - (2009). (Intervento presentato al convegno Riunione annuale del Gruppo Elettronica (GE) tenutosi a Trento (TN), Italy nel Jun. 2009).
Valutazione della resistenza termica di transistori bipolari attraverso misure DC: revisione critica e nuovo approccio per BJT in silicio
Salvatore Russo;d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO'
2009
Abstract
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