TCAD-based investigation of a 3.3 kV planar SiC MOSFET: BV-RON trade-off optimization / Scognamillo, C., Catalano, A.P., D’Alessandro, V., Riccio, M., Borghese, A., Maresca, L., Irace, A., Breglio, G., Rahimo, M., Nistor, I., Antoniou, M., Melnyk, K., Lophitis, N.. - (2024). (IEEE 18th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-PowerENG) Gdynia, Poland Jun. 2024) [10.1109/CPE-POWERENG60842.2024.10604369].

TCAD-based investigation of a 3.3 kV planar SiC MOSFET: BV-RON trade-off optimization

Ciro Scognamillo;Antonio Pio Catalano;Vincenzo d’Alessandro;Michele Riccio;Alessandro Borghese;Luca Maresca;Andrea Irace;Giovanni Breglio;
2024

2024
979-8-3503-1826-5
TCAD-based investigation of a 3.3 kV planar SiC MOSFET: BV-RON trade-off optimization / Scognamillo, C., Catalano, A.P., D’Alessandro, V., Riccio, M., Borghese, A., Maresca, L., Irace, A., Breglio, G., Rahimo, M., Nistor, I., Antoniou, M., Melnyk, K., Lophitis, N.. - (2024). (IEEE 18th International Conference on Compatibility, Power Electronics and Power Engineering (CPE-PowerENG) Gdynia, Poland Jun. 2024) [10.1109/CPE-POWERENG60842.2024.10604369].
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