Electrothermal modeling, simulation, and electromagnetic characterization of a 3.3 kV SiC MOSFET power module / Scognamillo, C., Catalano, A.P., Borghese, A., Riccio, M., D'Alessandro, V., Breglio, G., Irace, A., Tripathi, R.N., Castellazzi, A., Codecasa, L.. - (2021), pp. 123-126. (IEEE 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Nagoya, Japan (held in remote mode) May-Jun. 2021) [10.23919/ISPSD50666.2021.9452207].
Electrothermal modeling, simulation, and electromagnetic characterization of a 3.3 kV SiC MOSFET power module
Ciro Scognamillo;Antonio Pio Catalano;Alessandro Borghese;Michele Riccio;Vincenzo d'Alessandro;Giovanni Breglio;Andrea Irace;Alberto Castellazzi;Lorenzo Codecasa
2021
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