Influence of design parameters on the short-circuit ruggedness of SiC power MOSFETs / Romano, G., Riccio, M., Maresca, L., Breglio, G., Irace, A., Fayyaz, A., Castellazzi, A.. - 2016-:(2016), pp. 47-50. (28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 Zofin Palace, cze 2016) [10.1109/ISPSD.2016.7520774].

Influence of design parameters on the short-circuit ruggedness of SiC power MOSFETs

ROMANO, GIANPAOLO;RICCIO, MICHELE;MARESCA, LUCA;BREGLIO, GIOVANNI;IRACE, ANDREA;CASTELLAZZI, ALBERTO
2016

2016
9781467387682
9781467387682
Influence of design parameters on the short-circuit ruggedness of SiC power MOSFETs / Romano, G., Riccio, M., Maresca, L., Breglio, G., Irace, A., Fayyaz, A., Castellazzi, A.. - 2016-:(2016), pp. 47-50. (28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2016 Zofin Palace, cze 2016) [10.1109/ISPSD.2016.7520774].
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/651496
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 30
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 25
social impact