Physics-based hot-carrier degradation model for SiGe HBTs / Hamed, Kamrani; Dominic, Jabs; D'Alessandro, Vincenzo; Rinaldi, Niccolo'; Christoph, Jungemann. - (2016). (Intervento presentato al convegno IEEE SImulation of Semiconductor Processes And Devices (SISPAD) tenutosi a Nuremberg, Germany nel Sep. 2016) [10.1109/SISPAD.2016.7605216].

Physics-based hot-carrier degradation model for SiGe HBTs

d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO';
2016

2016
978-1-5090-0817-9
Physics-based hot-carrier degradation model for SiGe HBTs / Hamed, Kamrani; Dominic, Jabs; D'Alessandro, Vincenzo; Rinaldi, Niccolo'; Christoph, Jungemann. - (2016). (Intervento presentato al convegno IEEE SImulation of Semiconductor Processes And Devices (SISPAD) tenutosi a Nuremberg, Germany nel Sep. 2016) [10.1109/SISPAD.2016.7605216].
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