Physics-based hot-carrier degradation model for SiGe HBTs / Hamed, K., Dominic, J., D'Alessandro, V., Rinaldi, N., Christoph, J.. - (2016). (IEEE SImulation of Semiconductor Processes And Devices (SISPAD) Nuremberg, Germany Sep. 2016) [10.1109/SISPAD.2016.7605216].
Physics-based hot-carrier degradation model for SiGe HBTs
d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO';
2016
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
