IRIS

Experimental extraction of the base resistance of SiGe:C HBTs beyond BVceo: An improved technique / Maurizio, C., D'Alessandro, V., Didier, C., Alain, C., Pascal, C., Thomas, M., Klaus, A., Rinaldi, N.. - (2011), pp. 188-191. (IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Atlanta, Georgia, USA Oct. 2011) [10.1109/BCTM.2011.6082778].

Experimental extraction of the base resistance of SiGe:C HBTs beyond BVceo: An improved technique

d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO'
2011
2011
9781612841632
Experimental extraction of the base resistance of SiGe:C HBTs beyond BVceo: An improved technique / Maurizio, C., D'Alessandro, V., Didier, C., Alain, C., Pascal, C., Thomas, M., Klaus, A., Rinaldi, N.. - (2011), pp. 188-191. (IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Atlanta, Georgia, USA Oct. 2011) [10.1109/BCTM.2011.6082778].
4.1 Articoli in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/448303
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 1
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 0
social impact