Experimental extraction of the base resistance of SiGe:C HBTs beyond BVceo: An improved technique / Maurizio, Costagliola; D'Alessandro, Vincenzo; Didier, Celi; Alain, Chantre; Pascal, Chevalier; Thomas, Meister; Klaus, Aufinger; Rinaldi, Niccolo'. - (2011), pp. 188-191. (Intervento presentato al convegno IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) tenutosi a Atlanta, Georgia, USA nel Oct. 2011) [10.1109/BCTM.2011.6082778].
Experimental extraction of the base resistance of SiGe:C HBTs beyond BVceo: An improved technique
d'ALESSANDRO, VINCENZO;RINALDI, NICCOLO'
2011
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