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Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs / D'Alessandro, V., Marano, I., Russo, S., Celi, D., Chantre, A., Chevalier, P., Pourchon, F., Rinaldi, N.. - (2010), pp. 137-140. (IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Austin, Texas, USA Oct. 2010) [10.1109/BIPOL.2010.5667912].

Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs

d'ALESSANDRO, VINCENZO;Salvatore Russo;RINALDI, NICCOLO'
2010
2010
9781424485765
Impact of layout and technology parameters on the thermal resistance of SiGe:C HBTs / D'Alessandro, V., Marano, I., Russo, S., Celi, D., Chantre, A., Chevalier, P., Pourchon, F., Rinaldi, N.. - (2010), pp. 137-140. (IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Austin, Texas, USA Oct. 2010) [10.1109/BIPOL.2010.5667912].
4.1 Articoli in Atti di convegno
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