Sviluppo di una tecnica ottica per la caratterizzazione di giunzioni micrometriche e submicrometriche in silicio

Il programma scientifico dell'unità dell'Università di Napoli Federico II consiste nella progettazione, la realizzazione e la caratterizzazione elettrica di strutture di test tese a verificare l'affidabilità della nuova tecnica ottica per la misura di profili di drogaggio proposta. Nella prima fase verrà effettuata la scelta dei parametri di processo per la definizione dei profili di drogaggio da ricostruire con la tecnica ottica proposta. Queste scelte saranno concordate con l'unità della Seconda Università di Napoli al fine di definire i campi di variazione di drogaggio, le profondità di giunzione, la forma dei profili più interessanti al fine di verificare la bontà dell'approccio proposto. Si definiranno inoltre le dimensioni delle aree dedicate alle misure ottiche, da svolgersi presso l'unità dell'Università del Sannio.Le strutture di test verranno quindi progettate prevedendo anche strutture speciali che, mediante misure elettriche, permettano di controllare la rispondenza ai parametri di processo imposti prima di passare alla caratterizzazione dei profili. Nella seconda fase si prevede la realizzazione delle strutture progettate e l'esecuzione di misure ottiche preliminari standard per la determinazione di una stima delle profondità delle giunzioni realizzate. Si appalterà poi a laboratori esterni (nazionali e/o internazionali) la caratterizzazione dei profili realizzati mediante tecniche elettriche(spreading resistance e/o SIMS). In questo modo, alla conclusione del progetto, si potrà disporre di diverse caratterizzazioni delle strutture realizzate da utilizzare come confronto e verifica della tecnica ottica proposta. Nell'ultima fase si proseguirà con le caratterizzazioni mediante tecniche classiche e contemporaneamente si invieranno i campioni già caratterizzati all'unità dell'Università del Sannio per l'esecuzione delle misure ottiche previste dal progetto.