Achieving accuracy in modeling the temperature coefficient of threshold voltage in MOS transistors with uniform and horizontally nonuniform channel doping / D'Alessandro, Vincenzo; Spirito, Paolo. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 49:7(2005), pp. 1098-1106. [10.1016/j.sse.2005.04.004]

Achieving accuracy in modeling the temperature coefficient of threshold voltage in MOS transistors with uniform and horizontally nonuniform channel doping

d'ALESSANDRO, VINCENZO;SPIRITO, PAOLO
2005

2005
Achieving accuracy in modeling the temperature coefficient of threshold voltage in MOS transistors with uniform and horizontally nonuniform channel doping / D'Alessandro, Vincenzo; Spirito, Paolo. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 49:7(2005), pp. 1098-1106. [10.1016/j.sse.2005.04.004]
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