Modeling the onset of thermal instability in low voltage power MOS: An experimental validation / Spirito, Paolo; Breglio, Giovanni; D'Alessandro, Vincenzo. - (2005), pp. 183-186. (Intervento presentato al convegno IEEE 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) tenutosi a Santa Barbara, California, USA nel May 2005) [10.1109/ISPSD.2005.1487981].

Modeling the onset of thermal instability in low voltage power MOS: An experimental validation

SPIRITO, PAOLO;BREGLIO, GIOVANNI;d'ALESSANDRO, VINCENZO
2005

2005
0780388909
Modeling the onset of thermal instability in low voltage power MOS: An experimental validation / Spirito, Paolo; Breglio, Giovanni; D'Alessandro, Vincenzo. - (2005), pp. 183-186. (Intervento presentato al convegno IEEE 17th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) tenutosi a Santa Barbara, California, USA nel May 2005) [10.1109/ISPSD.2005.1487981].
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