Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling / Irace, A., D'Alessandro, V., Breglio, G., Spirito, P., Rossano, C., Diego, R., Luigi, M.. - STAMPA. - (2005), pp. 21-21. (11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) Pittsburgh, Pennsylvania, USA Sep. 2005).
Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling
IRACE, ANDREA;d'ALESSANDRO, VINCENZO;BREGLIO, GIOVANNI;SPIRITO, PAOLO;
2005
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