Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling / Irace, Andrea; D'Alessandro, Vincenzo; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; Rossano, Carta; Diego, Raffo; Luigi, Merlin. - STAMPA. - (2005), pp. 21-21. (Intervento presentato al convegno 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania, USA nel Sep. 2005).

Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling

IRACE, ANDREA;d'ALESSANDRO, VINCENZO;BREGLIO, GIOVANNI;SPIRITO, PAOLO;
2005

2005
0878494251
Electrothermal issues in 4H-SiC 600 V Schottky diodes in forward mode: Experimental characterization, numerical simulation and analytical modeling / Irace, Andrea; D'Alessandro, Vincenzo; Breglio, Giovanni; Spirito, Paolo; Rossano, Carta; Diego, Raffo; Luigi, Merlin. - STAMPA. - (2005), pp. 21-21. (Intervento presentato al convegno 11th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) tenutosi a Pittsburgh, Pennsylvania, USA nel Sep. 2005).
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