In-situ extraction of the thermal impedance of GaN power HEMTs embedded in PCB-based power circuits / Catalano, A.P., Scognamillo, C., D’Alessandro, V., Codecasa, L.. - (2023), pp. 310-313. (IEEE 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Hong Kong, China May-Jun. 2023) [10.1109/ISPSD57135.2023.10147598].
In-situ extraction of the thermal impedance of GaN power HEMTs embedded in PCB-based power circuits
Antonio Pio Catalano;Ciro Scognamillo;Vincenzo d’Alessandro;Lorenzo Codecasa
2023
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.


