Coupled structural and functional characterization and modelling of integrated GaN half-bridge power switches / Scognamillo, C., Catalano, A.P., D’Alessandro, V., Jaber, H.J., Castellazzi, A.. - (2023), pp. 306-309. (IEEE 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) Hong Kong, China May-Jun. 2023) [10.1109/ISPSD57135.2023.10147580].
Coupled structural and functional characterization and modelling of integrated GaN half-bridge power switches
Ciro Scognamillo;Antonio Pio Catalano;Vincenzo d’Alessandro;Alberto Castellazzi
2023
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