Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS
The use of 4H-SiC junction devices as effective temperature sensors is demonstrated by measuring, elaborating and comparing the experimental I- V characteristics of three different devices, namely pin and Schottky diodes and the body diode of a commercial power MOSFET. Due to the strong dependence of the I-V characteristics on temperature, the sensor performs a high sensitivity. It is shown that the correct choice of the probe current during sensing is fundamental to obtain an excellent linearity with T in the sensor response.
Use of 4H-SiC-based Diodes as Temperature Sensors / Della Corte, F.G., Pangallo, G., Rao, S., R, C., Iero, D., Merenda, M., Pezzimenti, F.. - (2019), pp. 71-74. (CAS 2019 Sinaia, Romania 9-11 October 2019).
Use of 4H-SiC-based Diodes as Temperature Sensors
F. G. Della Corte;G. Pangallo;S. Rao;Carotenuto R;D. Iero;M. Merenda;F. Pezzimenti
2019
Abstract
The use of 4H-SiC junction devices as effective temperature sensors is demonstrated by measuring, elaborating and comparing the experimental I- V characteristics of three different devices, namely pin and Schottky diodes and the body diode of a commercial power MOSFET. Due to the strong dependence of the I-V characteristics on temperature, the sensor performs a high sensitivity. It is shown that the correct choice of the probe current during sensing is fundamental to obtain an excellent linearity with T in the sensor response.
Use of 4H-SiC-based Diodes as Temperature Sensors / Della Corte, F.G., Pangallo, G., Rao, S., R, C., Iero, D., Merenda, M., Pezzimenti, F.. - (2019), pp. 71-74. (CAS 2019 Sinaia, Romania 9-11 October 2019).
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/849582
Citazioni
ND
6
8
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
