V2O5/ 4H-SiC Schottky Diode Temperature Sensor: Experiments and Model / Di Benedetto, L., Licciardo, G.D., Rao, S., Pangallo, G., Della Corte, F., Rubino, A.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:2(2018), pp. 687-694. [10.1109/TED.2017.2785234]

V2O5/ 4H-SiC Schottky Diode Temperature Sensor: Experiments and Model

F. Della Corte;
2018

2018
V2O5/ 4H-SiC Schottky Diode Temperature Sensor: Experiments and Model / Di Benedetto, L., Licciardo, G.D., Rao, S., Pangallo, G., Della Corte, F., Rubino, A.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 65:2(2018), pp. 687-694. [10.1109/TED.2017.2785234]
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/835116
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 18
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 17
social impact