Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications / Pezzimenti, F.; Bellone, S.; Della Corte, F. G.; Nipoti, R.. - (2012). (Intervento presentato al convegno The 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM12) tenutosi a Saint-Petersburg, Russia nel September 2-6, 2012).
Performance analysis of a normally-off 4H-SiC trench bipolar-mode FET for power applications
F. G. Della Corte;
2012
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
