Fabrication of low-threshold 1.3-μm InAs/InGaAs/GaAs quantum-dot lasers operating at room temperature / Martiradonna, L., De Benedetto, E., Fortunato, L., Cingolani, R., De Vittorio, M., Salhi, A., Tasco, V., De Giorgi, M., Passaseo, A., Visimberga, G.. - (2006), pp. 397-400. (2006 Ph.D. Research in Microelectronics and Electronics Otranto, Italy 12-15 June 2006) [10.1109/RME.2006.1689979].
Fabrication of low-threshold 1.3-μm InAs/InGaAs/GaAs quantum-dot lasers operating at room temperature
De Benedetto, E.;
2006
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
Fabrication of low-threshold m InAsnGaAGaAs quantum-dot lasers operating at room temperature.pdf
non disponibili
Descrizione: paper
Tipologia:
Documento in Post-print
Licenza:
Accesso privato/ristretto
Dimensione
354.74 kB
Formato
Adobe PDF
|
354.74 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
