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In this work we have explored the photoluminescence signal emitted by graphene oxide (GO) nanosheets infiltrated in silanized porous silicon (PSi) matrix. A strong enhancement of the PL emitted from GO by a factor of 2.5 with respect to GO on crystalline silicon was successfully demonstrated. In addition, a weak wavelength modulation of GO photoluminescence emission was observed, resulting in very attractive aspect for its exploitation in innovative optoelectronic devices and high sensible fluorescent sensors.
Graphene oxide-based mesoporous silicon as tunable platform for optical applications / Rea, I.; Sansone, L.; Terracciano, M.; De Stefano, L.; Dardano, P.; Giordano, M.; Borriello, A.; Casalino, M.. - 2015:667(2015), pp. 4 .-4 .. (Intervento presentato al convegno 17th Italian Conference on Photonics Technologies, Fotonica AEIT 2015 tenutosi a ita nel 2015) [10.1049/cp.2015.0152].
Graphene oxide-based mesoporous silicon as tunable platform for optical applications
Rea I.
;Sansone L.;Terracciano M.;De Stefano L.;Dardano P.;Giordano M.;Borriello A.;Casalino M.
2015
Abstract
In this work we have explored the photoluminescence signal emitted by graphene oxide (GO) nanosheets infiltrated in silanized porous silicon (PSi) matrix. A strong enhancement of the PL emitted from GO by a factor of 2.5 with respect to GO on crystalline silicon was successfully demonstrated. In addition, a weak wavelength modulation of GO photoluminescence emission was observed, resulting in very attractive aspect for its exploitation in innovative optoelectronic devices and high sensible fluorescent sensors.
Graphene oxide-based mesoporous silicon as tunable platform for optical applications / Rea, I.; Sansone, L.; Terracciano, M.; De Stefano, L.; Dardano, P.; Giordano, M.; Borriello, A.; Casalino, M.. - 2015:667(2015), pp. 4 .-4 .. (Intervento presentato al convegno 17th Italian Conference on Photonics Technologies, Fotonica AEIT 2015 tenutosi a ita nel 2015) [10.1049/cp.2015.0152].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11588/793518
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
