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Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors / A. J., Kordyasz; N., Le Neindre; M., Parlog; G., Casini; R., Bougault; G., Poggi; A., Bednarek; M., Kowalczyk; O., Lopez; Y., Merrer; E., Vient; J. D., Frankland; E., Bonnet; A., Chbihi; D., Gruyer; B., Borderie; G., Ademard; P., Edelbruck; M. F., Rivet; F., Salomon; M., Bini; S., Valdré; E., Scarlini; G., Pasquali; G., Pastore; S., Piantelli; A., Stefanini; A., Olmi; S., Barlini; A., Boiano; Rosato, Elio; A., Meoli; A., Ordine; Spadaccini, Giulio; G., Tortone; Vigilante, Mariano; E., Vanzanella; M., Bruno; S., Serra; L., Morelli; M., Guerzoni; R., Alba; D., Santonocito; C., Maiolino; M., Cinausero; F., Gramegna; T., Marchi; T., Kozik; P., Kulig; T., Twaróg; Z., Sosin; K., Ga??sior; A., Grzeszczuk; W., Zipper; J., Sarnecki; D., Lipi??ski; H., Wodzi??ska; A., Brzozowski; M., Teodorczyk; M., Gajewski; A., Zagojski; K., Krzy??ak; K. J., Tarasiuk; Z., Khabanowa; Kordyasz, ?. ?.. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. A, HADRONS AND NUCLEI. - ISSN 1434-6001. - 51:(2015), p. 15. [10.1140/epja/i2015-15015-2]
Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors
Low-temperature technique of thin silicon ion implanted epitaxial detectors / A. J., Kordyasz; N., Le Neindre; M., Parlog; G., Casini; R., Bougault; G., Poggi; A., Bednarek; M., Kowalczyk; O., Lopez; Y., Merrer; E., Vient; J. D., Frankland; E., Bonnet; A., Chbihi; D., Gruyer; B., Borderie; G., Ademard; P., Edelbruck; M. F., Rivet; F., Salomon; M., Bini; S., Valdré; E., Scarlini; G., Pasquali; G., Pastore; S., Piantelli; A., Stefanini; A., Olmi; S., Barlini; A., Boiano; Rosato, Elio; A., Meoli; A., Ordine; Spadaccini, Giulio; G., Tortone; Vigilante, Mariano; E., Vanzanella; M., Bruno; S., Serra; L., Morelli; M., Guerzoni; R., Alba; D., Santonocito; C., Maiolino; M., Cinausero; F., Gramegna; T., Marchi; T., Kozik; P., Kulig; T., Twaróg; Z., Sosin; K., Ga??sior; A., Grzeszczuk; W., Zipper; J., Sarnecki; D., Lipi??ski; H., Wodzi??ska; A., Brzozowski; M., Teodorczyk; M., Gajewski; A., Zagojski; K., Krzy??ak; K. J., Tarasiuk; Z., Khabanowa; Kordyasz, ?. ?.. - In: THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL. A, HADRONS AND NUCLEI. - ISSN 1434-6001. - 51:(2015), p. 15. [10.1140/epja/i2015-15015-2]
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
